该申请人涉及专利文献:1432,涉及专利:1034件
覆盖主要的IPC大类包括:H01(707)、G03(114)、G01(65)、H10(52)、B81(31)、G06(28)、H03(24)、C23(22)、H02(19)、H04(18)
专利类型分布状况:发明公开(842)、发明申请(154)、实用新型(38)
专利不同法律状态数据分布状况:有效专利(432)、实质审查(249)、无效专利(163)、公开(155)、失效专利(35)
该领域主要的发明人有:陈亚威(57)、李健(56)、黄玮(48)、金华俊(33)、祁树坤(31)、何乃龙(29)、刘腾(22)、周耀辉(19)、程诗康(19)、孙晓峰(18)
详细地址:中国 江苏省 无锡市 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 214028
| 专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
|---|---|---|
| 发明授权 | 可控硅整流器及其制备方法 | CN116264224B |
| 发明授权 | 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法 | CN116169026B |
| 发明公开 | ESD保护器件及芯片 | CN121419332A |
| 发明公开 | 横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 | CN121398042A |
| 发明公开 | 差分信号输入电路 | CN121396178A |
| 发明授权 | 半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件 | CN114582717B |
| 发明授权 | 光学邻近效应校正方法、掩膜版及可读存储介质 | CN114578650B |
| 发明授权 | 光学临近效应修正方法及系统和掩膜版 | CN114690540B |
| 发明公开 | 反熔丝存储器及其编程方法 | CN120998279A |
| 发明公开 | 缺陷评价条件的确定方法和半导体器件的制造方法 | CN120914122A |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 无锡华润上华科技有限公司 | 1586 |
| 排名 | 发明人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 陈亚威 | 57 |
| 2 | 李健 | 56 |
| 3 | 黄玮 | 48 |
| 4 | 金华俊 | 33 |
| 5 | 祁树坤 | 31 |
| 6 | 何乃龙 | 29 |
| 7 | 刘腾 | 22 |
| 8 | 周耀辉 | 19 |
| 9 | 程诗康 | 19 |
| 10 | 孙晓峰 | 18 |
| 排名 | 企业名称 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 602 |
| 2 | 华进联合专利商标代理有限公司 | 338 |
| 3 | 北京市磐华律师事务所 | 212 |
| 4 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 106 |
| 5 | 无锡互维知识产权代理有限公司 | 75 |
| 6 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 61 |
| 7 | 上海光华专利事务所 | 45 |
| 8 | 上海思微知识产权代理事务所 | 39 |
| 9 | 北京品源专利代理有限公司 | 28 |
| 10 | 江苏英特东华律师事务所 | 7 |
| 排名 | 代理人 | 专利 |
|---|---|---|
| 1 | 邓云鹏 | 322 |
| 2 | 虞凌霄 | 200 |
| 3 | 汪洋 | 111 |
| 4 | 常亮 | 105 |
| 5 | 高伟 | 105 |
| 6 | 吴平 | 89 |
| 7 | 李辰 | 70 |
| 8 | 何平 | 45 |
| 9 | 高为 | 39 |
| 10 | 冯永贞 | 38 |